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Kingston Technology FURY Impact módulo de memoria 16 GB 2 x 8 GB DDR4 1600 MHz

KF432S20IBK2/16 | 0740617318425

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A destacar:
16GB (2x8GB), DDR4, 3200MT/s, CL20, PnP, 1RX8, 1.2V, 260-pin
Kingston FURY Impact DDR4 Memoria Capacidades de 8 GB, 16 GB y 32 GB a hasta 3200 MHz1

Equipe su portátil u otro aparato de pequeño factor de forma con Kingston FURY™ Impact DDR4 SODIMM, y minimice el retardo del sistema. Preparado para AMD Ryzen™, y XMP Intel®, y homologado para XMP en capacidades de kit de hasta 64 GB, DDR4 FURY Impact incorpora la innovadora tecnología de sobreaceleración (overclocking) Plug N Play1 de Kingston, que acelera automáticamente la velocidad predeterminada de fábrica y los tiempos de latencia sin necesidad de cambiar ningún ajuste del BIOS. Diseñado para funcionar de manera eficiente y silenciosa a solamente 1,2 V, estos delgados módulos negros supondrán una inyección de dinamismo al rendimiento de su sistema.

SODIMM de potente rendimiento

Maximice su memoria y cargue de energía sus juegos, operaciones multitarea y renderización.

Función de overclocking automático Plug N Play1

Impact DDR4 ejecuta automáticamente un overclocking hasta la frecuencia más alta publicada.

Preparado para Intel® XMP y con homologación XMP

Diseñado para maximizar el rendimiento de nuestros módulos de memoria, nuestros ingenieros han predefinido los Perfiles de memoria extrema (XMP) de Intel para que alcancen velocidades de hasta 3200 MHz.

Preparado para AMD Ryzen™

Obtenga memoria preparada para AMD Ryzen que se integrará perfectamente con su sistema compatible con SODIMM basado en AMD. Un rendimiento fiable y compatible para disparar su sistema.

Mejor rendimiento con menor consumo eléctrico

Ejecute su sistema de manera eficiente, y sin que se recaliente, gracias al bajo consumo eléctrico (1,2 V) de los módulos Impact DDR4.

Delgado factor de forma, estilizado diseño

La PCB negra y la estilizada etiqueta térmica aportan elegancia a un pequeño tamaño.
Peso y dimensiones
Peso 15,2 g
Ancho 3,8 mm
Profundidad 69,6 mm
Altura 30 mm
Condiciones ambientales
Intervalo de temperatura operativa 0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje -55 - 100 °C
Datos logísticos
Ancho de la caja principal 203,2 mm
Longitud de la caja 311,2 mm
Alto de la caja principal 101,6 mm
Peso del envase completo 1,22 kg
Cantidad por caja 25 pieza(s)
Código de Sistema de Armomización (SA) 84733020
Características
ECC No
Configuración de módulos 1024M x 64
Tipo de memoria interna DDR4
Latencia CAS 20
Tiempo de ciclo de fila 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila 350 ns
Tiempo activo en fila 26,25 ns
Velocidad de memoria del reloj 1600 MHz
Voltaje de memoria 1.2 V
Tipo de enfriamiento Disipador térmico
Forma de factor de memoria 260-pin SO-DIMM
Clasificación de memoria 1
País de origen China, Taiwán
Componente para Portátil
Memoria interna 16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño) 2 x 8 GB
Intel® Extreme Memory Profile (XMP) Si
Retroiluminación No
Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile) 2.0
Estándar JEDEC Si
Programador de potencia de voltaje (VPP) 2,5 V
Tipo de memoria con búfer Unregistered (unbuffered)
Rango de memoria de transferencia de datos 3200 MT/s
Empaquetado
Peso del paquete 40,3 g
Ancho del paquete 95,3 mm
Profundidad del paquete 14 mm
Altura del paquete 171,5 mm

KF432S20IBK2/16
18 Productos

Detalles del producto

Ancho
3,8 mm
Profundidad
69,6 mm
Altura
30 mm
Peso
15,2 g
Ancho del paquete
95,3 mm
Profundidad del paquete
14 mm
Peso del paquete
40,3 g
Cantidad por caja
25 pieza(s)
Peso del envase completo
1,22 kg
Longitud de la caja
311,2 mm
Ancho de la caja principal
203,2 mm
Alto de la caja principal
101,6 mm
Altura del paquete
171,5 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
País de origen
China, Taiwán
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Componente para
Portátil
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
2 x 8 GB
Tipo de memoria interna
DDR4
Velocidad de memoria del reloj
1600 MHz
Forma de factor de memoria
260-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
20
Clasificación de memoria
1
Tipo de enfriamiento
Disipador térmico
Voltaje de memoria
1.2 V
Configuración de módulos
1024M x 64
Tiempo de ciclo de fila
45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
350 ns
Tiempo activo en fila
26,25 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)
2,5 V
Estándar JEDEC
Si
Rango de memoria de transferencia de datos
3200 MT/s
Retroiluminación
No
Intel® Extreme Memory Profile (XMP)
Si
Versión del perfil Intel XMP (Extreme Memory Profile)
2.0
Memoria interna
16 GB

EAN

ean13
0740617318425
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