Goodram irdm pro gen 5 ssd 1tb pcie 5.0x4 nvme 2.0

P/N: IRP-SSDPR-P54S-1K0-8 | EAN: 5908267901526

de Goodram

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Rendimiento de última generación
IRDM PRO GEN 5 ofrece increíbles velocidades de lectura de hasta 12.000 MB/s. Esto supone casi el doble de rendimiento que las unidades basadas en PCIe 4.0. Esto supone casi el doble de rendimiento que las unidades basadas en PCIe 4.0. Opte por la interfaz más reciente y aproveche al máximo las ventajas de la generación 5.0: transferencias a la velocidad del rayo, trabajo eficiente con archivos de gran tamaño y terabytes de espacio para sus datos.

Diseñado para los más exigentes
La unidad está disponible en tres versiones de capacidad: 1 TB, 2 TB y 4 TB. Decide qué modelo quieres y almacena tus juegos, archivos, documentos, fotos y vídeos sin límites. Gracias a la memoria 3D TLC y al controlador Phison E26 de gama alta, el funcionamiento de la unidad es eficiente incluso con grandes cargas de ordenador. El elevado número de IOPS -hasta 1,4 millones- se traduce en un 40% más de rendimiento en operaciones aleatorias en comparación con PCIe 4.0, lo que sin duda satisfará a los usuarios más exigentes. También notarán rápidamente la diferencia y una mayor comodidad al trabajar de forma fluida y eficiente con grandes bases de datos, contenidos de vídeo incluso con resolución 8K o proyectos gráficos avanzados.

Compatibilidad con DirectStorage
Nos hemos asegurado de que IRDM PRO GEN 5 sea totalmente compatible con la tecnología DirectStorage de Microsoft, que permite transferir datos directamente de la unidad SSD a la tarjeta gráfica (GPU), sin pasar por el procesador (CPU). Esto permite una carga más rápida de los juegos y menos carga para la CPU. Esto se traduce en un mayor rendimiento, una carga más rápida de los niveles del juego y transiciones más suaves entre escenas.

*Para usar DirectStorage necesitas una tarjeta gráfica compatible con DirectX 12 y Shader Model 6.0.

Seguridad de datos avanzada
La SSD IRDM PRO GEN 5 no sólo ofrece un alto rendimiento, sino también seguridad y durabilidad de los datos almacenados. Un TBW (Total Bytes Written) elevado indica la cantidad máxima de datos que se pueden escribir en la unidad durante su vida útil. Cuanto mayor sea el TBW, más tiempo funcionará la unidad. La tecnología ECC (Código de Corrección de Errores) se encarga de la corrección de errores, lo que minimiza el riesgo de corrupción de datos.
Además, la función WEAR LEVELING equilibra el desgaste de la memoria, alargando la vida útil del soporte. La GESTIÓN DE BLOQUES MALOS cierra automáticamente los sectores defectuosos para garantizar un funcionamiento continuo, mientras que la tecnología TRIM optimiza el rendimiento de la unidad eliminando los datos redundantes y aumentando así la velocidad de escritura.

Rendimiento bajo control
Para disipar eficazmente el calor, la unidad se ha recubierto con una capa de grafeno, que conduce el calor 20 veces mejor que el aluminio. La estructura atómica única del grafeno lo hace ideal para los sistemas de refrigeración, ya que ayuda a mantener la unidad a la temperatura adecuada durante un uso intensivo. Sin embargo, para maximizar el rendimiento de la unidad SSD, se recomienda una refrigeración adicional, por ejemplo en forma de disipador térmico pasivo, integrado en la placa base o un disipador térmico activo.

Mantente a la última en tecnología
Cada vez más juegos, aplicaciones y sistemas operativos nuevos aprovecharán las posibilidades que ofrecen los modernos estándares PCIe. Al elegir IRDM PRO GEN 5, está invirtiendo en el futuro de su hardware: su ordenador no sólo será eficiente, sino que también estará preparado para los próximos retos tecnológicos.

Goodram IRDM PRO GEN 5 IRP-SSDPR-P54S-1K0-80. SDD, capacidad: 1 GB, Factor de forma de disco SSD: M.2, Velocidad de lectura: 11500 MB/s, Velocidad de escritura: 9000 MB/s, Componente para: PortátilSDD, capacidad1 GBFactor de forma de disco SSDM.2InterfazPCI Express 5.0NVMeSiTipo de memoria3D TLC NANDComponente paraPortátilTamaño de la unidad SSD M.22280 (22 x 80 mm)Velocidad de lectura11500 MB/sVelocidad de escritura9000 MB/sLectura aleatoria (4KB)1300000 IOPSEscritura aleatoria (4KB)1400000 IOPSTipo de controladorPhison E26Designación de llave de M.2MSoporte S.M.A.R.T.SiSoporte TRIMSiECCSiTiempo medio entre fallos1600000 hcalificación TBW700Condiciones de usoPC/Client/TabletAncho22 mmProfundidad80 mmAltura3,6 mmPeso9,5 gAncho del paquete140 mmProfundidad del paquete113 mmAltura del paquete15 mmPeso del paquete40 gIntervalo de temperatura operativa0 - 70 °CIntervalo de temperatura de almacenaje-40 - 85 °CMáxima temperatura70 °CPeriodo de garantía5 año(s)

P/N: IRP-SSDPR-P54S-1K0-8

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Detalles del producto

Interfaz: PCI Express 5.0
Tipo de memoria: 3D TLC NAND

EAN

ean13: 5908267901526

Estado del producto Nuevo

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