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Memoria interna | 4 GB |
Diseño de memoria (módulos x tamaño) | 1 x 4 GB |
Tipo de memoria interna | DDR3L |
Velocidad de memoria del reloj | 1600 MHz |
Componente para | Portátil |
Forma de factor de memoria | 204-pin SO-DIMM |
ECC | No |
Tipo de memoria con búfer | Unregistered (unbuffered) |
Latencia CAS | 11 |
Ancho de datos | 64 bit |
Voltaje de memoria | 1.35,1.5 V |
Configuración de módulos | 512M X 64 |
Tiempo de ciclo de fila | 48,125 ns |
Tiempo de actualización de ciclo de fila | 260 ns |
Tiempo activo en fila | 35 ns |
País de origen | Taiwán |
Placa de plomo | Oro |
Intervalo de temperatura operativa | 0 - 85 °C |
Intervalo de temperatura de almacenaje | -55 - 100 °C |
Ancho | 67,6 mm |
Altura | 30 mm |
Código de Sistema de Armomización (SA) | 84733020 |
Organización de los chips | X8 |
Velocidad del reloj de bus | 1600 MHz |
Indicación de error | No |
Disposición de memoria | 1 x 4096 MB |
Memoria interna | 4096 MB |
Detalles del producto
EAN
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