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Kingston 4GB DDR3 1600MHz 1.35/1.5v CL11 - Memoria SODIMM

KVR16LS11/4 | 0740617219784

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Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3L 1600MHz, 4 GB, 1 x 4 GB, DDR3L, 1600 MHz, 204-pin SO-DIMM

Kingston Technology es el mayor fabricante independiente de memoria del mundo y cuenta con una excelente reputación por la calidad de sus productos y sus precios competitivos. Su memoria ValueRAM constituye un estándar en el sector y le ayudará a potenciar al máximo el rendimiento y la productividad de su sistema. Además, los módulos de memoria ValueRAM de Kingston Technology están fabricados con componentes de primer nivel (Grade A) y tienen garantía de por vida.

Kingston Technology ValueRAM 4GB DDR3L 1600MHz. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR3L, Velocidad de memoria del reloj: 1600 MHz, Forma de factor de memoria: 204-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 11
Memoria interna4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 4 GB
Tipo de memoria internaDDR3L
Velocidad de memoria del reloj1600 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria204-pin SO-DIMM
ECCNo
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
Latencia CAS11
Ancho de datos64 bit
Voltaje de memoria1.35,1.5 V
Configuración de módulos512M X 64
Tiempo de ciclo de fila48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila260 ns
Tiempo activo en fila35 ns
País de origenTaiwán
Placa de plomoOro
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Ancho67,6 mm
Altura30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Organización de los chipsX8
Velocidad del reloj de bus1600 MHz
Indicación de errorNo
Disposición de memoria1 x 4096 MB
Memoria interna4096 MB
Kingston
KVR16LS11/4
67 Productos

Detalles del producto

Ancho
67,6 mm
Altura
30 mm
Cantidad
1
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
País de origen
Taiwán
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Componente para
Portátil
Memoria RAM
4GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 4 GB
Tipo de memoria interna
DDR3L
Velocidad de memoria del reloj
1600 MHz
Forma de factor de memoria
204-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
CL11
Ancho de datos
64 bit
Voltaje de memoria
1.35,1.5 V
Configuración de módulos
512M X 64
Tiempo de ciclo de fila
48,125 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
260 ns
Tiempo activo en fila
35 ns
Placa de plomo
Oro
Tipo de memoria
Memoria DDR3
Voltaje
1.35 V
Organización de los chips
X8
Velocidad del reloj de bus
1600 MHz
Indicación de error
No
Disposición de memoria
1 x 4096 MB
Velocidad
1600 Mhz
Formato Memoria
SODIMM

EAN

ean13
0740617219784
Nuevo
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