Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2v CL19 - Memoria SODIMM

Kingston 4GB DDR4 2666MHz 1.2v CL19 - Memoria SODIMM

P/N: KVR26S19S6/4 | EAN: 0740617280647

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Kingston Technology ValueRAM KVR26S19S6/4. Componente para: Portátil, Memoria interna: 4 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB, Tipo de memoria interna: DDR4, Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz, Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 19

Memoria interna	4 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)	1 x 4 GB
Tipo de memoria interna	DDR4
Velocidad de memoria del reloj	2666 MHz
Componente para	Portátil
Forma de factor de memoria	260-pin SO-DIMM
ECC	No
Tipo de memoria con búfer	Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS	19
Clasificación de memoria	1
Voltaje de memoria	1.2 V
Tiempo de ciclo de fila	45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila	350 ns
Tiempo activo en fila	32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP)	2,5 V
País de origen	Taiwán
Intervalo de temperatura operativa	0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje	-55 - 100 °C
Certificados de conformidad	RoHS
Certificados de sostenibilidad	RoHS
No contiene	Halógeno
Ancho	69,6 mm
Profundidad	2,45 mm
Altura	30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)	84733020

Marca Kingston

P/N: KVR26S19S6/4

En stock en nuestro almacén: 1 Producto

Detalles del producto

Certificados de sostenibilidad: RoHS
Certificados de conformidad: RoHS
Ancho: 69,6 mm
Profundidad: 2,45 mm
Altura: 30 mm
Cantidad: 1
Intervalo de temperatura operativa: 0 - 85 °C
Código de Sistema de Armomización (SA): 84733020
País de origen: Taiwán
Intervalo de temperatura de almacenaje: -55 - 100 °C
Componente para: Portátil
No contiene: Halógeno
Memoria RAM: 4GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 4 GB
Tipo de memoria interna: DDR4
Velocidad de memoria del reloj: 2666 MHz
Forma de factor de memoria: 260-pin SO-DIMM
ECC: No
Tipo de memoria con búfer: Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS: CL19
Clasificación de memoria: 1
Voltaje de memoria: 1.2 V
Tiempo de ciclo de fila: 45,75 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila: 350 ns
Tiempo activo en fila: 32 ns
Programador de potencia de voltaje (VPP): 2,5 V
Tipo de memoria: Memoria DDR4
Voltaje: 1.2 V
Velocidad: 2666 Mhz
Formato Memoria: SODIMM

EAN

ean13: 0740617280647

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