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    Kingston 8GB DDR5 4800MHz 1.1v CL40 - Memoria SODIMM
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Kingston 8GB DDR5 4800MHz 1.1v CL40 - Memoria SODIMM

KVR48S40BS8-16 | 0740617327113

Vendido y enviado por TechLife

56,95 €
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Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS8-16, 16 GB, 1 x 16 GB, DDR5, 4800 MHz, 262-pin SO-DIMM

ValueRAM, la memoria estándar de Kingston en este sector, proporciona un rendimiento de primera calidad, además de la fiabilidad legendaria de Kingston. Cuando uno sabe lo que quiere, lo que quiere es ValueRAM.

Kingston Technology ValueRAM KVR48S40BS8-16. Componente para: Portátil, Memoria interna: 16 GB, Diseño de memoria (módulos x tamaño): 1 x 16 GB, Tipo de memoria interna: DDR5, Velocidad de memoria del reloj: 4800 MHz, Forma de factor de memoria: 262-pin SO-DIMM, Latencia CAS: 40
Memoria interna16 GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)1 x 16 GB
Tipo de memoria internaDDR5
Velocidad de memoria del reloj4800 MHz
Componente paraPortátil
Forma de factor de memoria262-pin SO-DIMM
ECCNo
Tipo de memoria con búferUnregistered (unbuffered)
On-Die ECCSi
Latencia CAS40
Clasificación de memoria1
Voltaje de memoria1.1 V
Tiempo de ciclo de fila48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila295 ns
Tiempo activo en fila32 ns
Placa de plomoOro
Estándar JEDECSi
Intervalo de temperatura operativa0 - 85 °C
Intervalo de temperatura de almacenaje-55 - 100 °C
Certificados de conformidadRoHS
Certificados de sostenibilidadRoHS
Ancho69,6 mm
Altura30 mm
Código de Sistema de Armomización (SA)84733020
Kingston
KVR48S40BS8-16

Detalles del producto

Certificados de sostenibilidad
RoHS
Certificados de conformidad
RoHS
Ancho
69,6 mm
Altura
30 mm
Intervalo de temperatura operativa
0 - 85 °C
Código de Sistema de Armomización (SA)
84733020
Intervalo de temperatura de almacenaje
-55 - 100 °C
Componente para
Portátil
Memoria RAM
16GB
Diseño de memoria (módulos x tamaño)
1 x 16 GB
Tipo de memoria interna
DDR5
Velocidad de memoria del reloj
4800 MHz
Forma de factor de memoria
262-pin SO-DIMM
ECC
No
Tipo de memoria con búfer
Unregistered (unbuffered)
Latencia CAS
40
Clasificación de memoria
1
Voltaje de memoria
1.1 V
Tiempo de ciclo de fila
48 ns
Tiempo de actualización de ciclo de fila
295 ns
Tiempo activo en fila
32 ns
Placa de plomo
Oro
Estándar JEDEC
Si
On-Die ECC
Si

EAN

ean13
0740617327113
Nuevo
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